制造商: | Fairchild Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SSOT-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | P-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | - 30 V | |
Id-连续漏极电流: | 1.3 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 180 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V | |
工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Fairchild Semiconductor | |
配置: | Single | |
下降时间: | 15 ns | |
正向跨导 - 值: | 2 S | |
高度: | 0.94 mm | |
长度: | 2.92 mm | |
工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 500 mW | |
产品: | MOSFET Small Signal | |
上升时间: | 15 ns | |
工厂包装数量: | 3000 | |
晶体管类型: | 1 P-Channel | |
类型: | MOSFET | |
典型关闭延迟时间: | 10 ns | |
典型接通延迟时间: | 4 ns | |
宽度: | 1.4 mm | |
零件号别名: | FDN352AP_NL | |
单位重量: | 30 mg |
FDN352APFDN352APFDN352AP