- 日新微电子（深圳）有限公司
17年
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | PG-SOT223 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | - 1.17 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 800 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | - 1.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 5.2 nC | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 技术: | Si | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 19 ns | |
| 正向跨导 - 值: | 1.4 S | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.8 W | |
| 上升时间: | 9 ns | |
| 系列: | BSP315 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 32 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 24 ns | |
| 零件号别名: | BSP315PH6327XTSA1 SP |
BSP315PBSP315PBSP315P
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