制造商: | Diodes Incorporated | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | P-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | - 60 V | |
Id-连续漏极电流: | - 3.5 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 190 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | - 1 V | |
Qg-栅极电荷: | 17.7 nC | |
工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Diodes Incorporated | |
配置: | Single | |
下降时间: | 11.3 ns | |
正向跨导 - 值: | 4.7 S | |
工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 16 W | |
上升时间: | 3.4 ns | |
系列: | ZXMP6 | |
晶体管类型: | 1 P-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 26.2 ns | |
典型接通延迟时间: | 2.6 ns | |
单位重量: | 8 mg |