- 日新微电子（深圳）有限公司
17年
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | 1.8 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 500 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single Dual Drain | |
| 下降时间: | 31 ns | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 2 W | |
| 上升时间: | 63 ns | |
| 系列: | IRF/SIHFL9014 | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 9.6 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 11 ns | |
| 单位重量: | 250.200 mg |
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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