场效应管 P-MOS P沟道 NP50P06SDG_日新微电子（深圳）有限公司

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场效应管 P-MOS P沟道 NP50P06SDG

场效应管 P-MOS P沟道 NP50P06SDG

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场效应管 P-MOS P沟道 NP50P06SDG

型号/规格：

NP50P06SDG

品牌/商标：

RENESAS（瑞萨）

封装形式：

TO-252

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

功率特征：

小功率

QQ:2851286825

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产品信息

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

NP50P06SDG NP50P06SDG NP50P06SDG

IC热门型号: S358P; AT24C128TI-10TI-2.7; DTC114NPN150MWEMT3CXI2005; TPSV158K002R0030; AP20P02H; TSM1051CD; AD590KF/883B; LM6134AIN; MCP2120T-I/SL; CA3262AE

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