- 日新微电子（深圳）有限公司
17年
| 制造商: | Fairchild Semiconductor | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SO-8 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 8.8 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 16 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Fairchild Semiconductor | |
| 配置: | Single Quad Drain Triple Source | |
| 下降时间: | 38 ns | |
| 正向跨导 - 值: | 24 S | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 2.5 W | |
| 上升时间: | 13 ns | |
| 系列: | FDS4435 | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 68 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 12 ns | |
| 零件号别名: | FDS4435BZ_NL | |
| 单位重量: | 187 mg |
FDS4435BZ FDS4435BZ FDS4435BZ
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