- 日新微电子（深圳）有限公司
17年
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 2.6 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 70 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 12.5 ns | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 750 mW | |
| 上升时间: | 12.5 ns | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 19 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 7.5 ns | |
| 零件号别名: | SI2304BDS-GE3 |
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
SI2304 SI2304 SI2304
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