- 日新微电子（深圳）有限公司
17年
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 1.7 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 300 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single Dual Drain | |
| 下降时间: | 30 ns | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.8 W | |
| 上升时间: | 30 ns | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 85 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 10 ns |
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